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    磁傳感器高靈敏度銻化銦( InSb )霍爾效應傳感器IC芯片元件

    磁傳感器高靈敏度銻化銦( InSb )霍爾效應傳感器IC芯片元件
    瀏覽量:208 上傳更新:2020-08-18

    磁傳感器高靈敏度銻化銦( InSb )霍爾效應傳感器IC芯片元件

    由銦和銻構成的重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體材料。 因為其熔點低,熔點時的離解凍小,所以50年代制造了單晶體。

    銻化銦( InSb )是一種研究迅速、研究深入的Ⅲ-Ⅴ族半導體材料。 其晶體呈銀色脆、閃鋅礦結構,晶格常數為6.48?,禁帶寬窄:0.18eV,電子遷移率高達:7800cm2/V·s,可用于紅外探測器、光磁探測器和Hall器件的制備。 銻化銦的熔點為525℃,與其他Ⅲ-Ⅴ族化合物相比,生長單晶提純都非常簡易,因此多為Ⅲ-Ⅴ族化合物的固體理論研究時選擇的對象。

    銻化銦( InSb )霍爾效應IC芯片元件

    銻化銦InSb單晶電子遷移率高,是非常好的霍爾元件、紅外探測元件、磁阻元件的襯底材料。 例如,與大氣透過窗對應的3~5μm頻帶的攝像元件或InSb焦平面陣列元件。 在電荷注入裝置中,銻化銦InSb裝置的位數已達到128×128陣列。 3~5μm頻帶的InSb光伏檢測器,作為傳感器元件構成的混合焦平面陣列也大幅發展,制作元數多的二維陣列。

    銻化銦( InSb )

    分子式:InSb

    分子量:236.578

    熔點:535℃

    密度:5.76g/cm3

    制備:銻和銦的化合物。金屬銻和銦在高溫熔合而得。具閃鋅礦型結構的晶體。

    銻化銦( InSb )霍爾元件

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