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    磁阻效應砷化鎵(GaAs)霍爾傳感器元件IC芯片-粵科源興科技
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    磁阻效應砷化鎵(GaAs)霍爾傳感器元件IC芯片

    磁阻效應砷化鎵(GaAs)霍爾傳感器元件IC芯片
    瀏覽量:277 上傳更新:2020-08-04

    磁阻效應砷化鎵(GaAs)霍爾傳感器元件IC芯片

    于1964年砷化鎵進入實用階段??梢詫⑸榛壷瞥呻娮杪时裙韬玩N高3個數量級以上的半絕緣高阻材料,可用于制造集成電路基板,紅外探測器由于它的電子遷移率是硅的5-6倍,因此它已被重要地用于制造微波設備和高速數字電路。由砷化鎵制成的半導體器件具有高溫,高頻,低噪音,低溫性能,抗輻射能力強的優點。另外,它還可以用于制造轉移裝置-體效應裝置。砷化鎵是具有許多優點的半導體材料。但是,用它制成的晶體管放大率小且導熱性差,因此不適合制造大功率器件。盡管砷化鎵具有優越的性能,但由于它在高溫下會分解,因此在技術上要求生長具有理想化學比的高純度單晶材料。

    砷化鎵(GaAs)霍爾器件是一種電磁轉換磁敏器件,廣泛應用于電子,汽車,測量等許多領域。它是半導體磁傳感器中最成熟,生產力最高的產品。隨著信息家電,計算機,汽車電子,無刷電動機等行業的發展,對霍爾元器件的需求已大大增加。 GaAs霍爾器件具有以下優點:出色的溫度特性,良好的輸出電壓線性度,高輸入阻抗和低失調率。

    磁阻效應砷化鎵霍爾傳感器元件IC芯片

    磁阻效應砷化鎵霍爾傳感器具有比普通霍爾傳感器更高的靈敏度和更小的體積(GaAs霍爾傳感器可以制成薄膜形式)。目前,磁阻效應廣泛應用于磁傳感,磁力計,電子羅盤,位置和角度傳感器,車輛檢測,GPS導航,儀器儀表,磁存儲(磁卡,硬盤)等領域。

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